我們?yōu)樯窠?jīng)接口提供各種高質(zhì)量、高密度的神經(jīng)接口微電極陣列。

標(biāo)準(zhǔn)電極適用于植入皮層或大腦深處結(jié)構(gòu)，以及與脊髓、心臟或其他組織連接。 我們的技術(shù)提供了一個(gè)全面的設(shè)計(jì)空間，能夠覆蓋一個(gè)二維平面，其中可以定制電極位點(diǎn)以跨越大腦的皮質(zhì)層或皮質(zhì)柱。 或者，可以通過(guò)組合多個(gè)二維陣列來(lái)覆蓋一定體積的組織。 NeuroNexus 提供多種穿透型硅電極設(shè)計(jì)，以滿足每一個(gè)獨(dú)特的要求。

特征：

* 結(jié)果一致——這意味著需要管理的變量更少。 

* 設(shè)計(jì)工具箱——我們?yōu)椴煌膽?yīng)用和/或大腦結(jié)構(gòu)提供種類繁多的電極陣列設(shè)計(jì)。用戶可根據(jù)實(shí)際需要選擇定制。

* 急性和慢性——NeuroNexus腦電圖電極是一種超靈活的腦電圖表面網(wǎng)格優(yōu)化。 

特征：

* 靈活耐用—— 腦電圖電極采用我們的聚合物 MEMS 技術(shù)制造，可輕松貼合顱骨。

* 穩(wěn)定——高質(zhì)量的腦電圖記錄

* 優(yōu)化的陣列設(shè)計(jì)——從具有不同記錄位置放置、不同應(yīng)用或動(dòng)物模型的各種 EEG 陣列設(shè)計(jì)中進(jìn)行選擇。

Matrix ArrayTM 可配置用于急性或慢性、大型或小型動(dòng)物實(shí)驗(yàn)，在 3D 空間中與大腦、脊髓和心臟深度達(dá) 10 毫米的大量神經(jīng)元連接。

NeuroNexus電極特征：

* 3D神經(jīng)接口——Matrix ArrayTM 同時(shí)跨越 2D 足跡和多個(gè)深度，覆蓋大量組織并與大量神經(jīng)元連接。

* 堅(jiān)固耐用——經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試并精益求精，Matrix ArrayTM 可以承受苛刻的長(zhǎng)期應(yīng)用。

* 用途廣泛——Matrix ArrayTM 的模塊化組件允許多種配置：從皮質(zhì)和/或皮質(zhì)下區(qū)域以及大腦表面記錄，所有這些都使用相同的設(shè)備。電極長(zhǎng)度、場(chǎng)地面積和柄/場(chǎng)地間距都可以根據(jù)您的應(yīng)用進(jìn)行定制。

* 高通道密度——從 64、128 或 256 個(gè)通道記錄和刺激。 

* 精致手術(shù)——NeuroNexus 與靈長(zhǎng)類動(dòng)物實(shí)驗(yàn)室密切合作，開發(fā)了一種低速、低風(fēng)險(xiǎn)、自動(dòng)化的植入手術(shù)，縮短了恢復(fù)時(shí)間并保護(hù)了組織健康。

* 與光遺傳學(xué)兼容——為新型光遺傳學(xué)應(yīng)用配置帶有集成光纖的 Matrix ArrayTM。

* 適配器——從 Matrix ArrayTM 記錄時(shí)，適配器與扭矩扳手連接，減少動(dòng)物的壓力。這允許矩陣陣列連接到各種現(xiàn)有的記錄系統(tǒng)，并在不記錄時(shí)保護(hù)連接。

NeuroNexus電極